| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677347283 |
| Дата корректировки | 16:19:59 18 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.10.49943.9466 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Свитенков, И. Е. |
|
Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In[1-x]Ga[x])(SySe[1-y])[2] в составе солнечных элементов Электронный ресурс |
|
| Другая форма заглавия | Spontaneous and stimulated emission in thin films of Cu(In[1-x]Ga[x])(SySe[1-y])[2] solid solutions in the composition of solar cells |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования спектров излучения тонких нанокристаллических пленок прямозонных твердых растворов Cu(In[1-x]Ga[x] )(SySe[1-y])[2] (CIGSSe) в структуре солнечных элементов при непрерывном ~ 0.5Вт/см{2} и наносекундном импульсном лазерном возбуждении в диапазоне плотности мощности возбуждения 0.1-53 кВт/см{2} и температурах 10-300 K. Обнаружено, что в тонких пленках CIGSSe возникает стимулированное излучение в интервале температур от 10 до 90K в спектральной области hv = 1.062-1.081 эВ с минимальным уровнем пороговой накачки ~ 1 кВт/см{2}. Показано, что с ростом интенсивности возбуждающего излучения полосы спонтанного излучения смещаются в сторону больших энергий. Установлено, что полосы фотолюминесценции при низких уровнях возбуждения и полосы cтимулированного излучения смещаются с ростом температуры в сторону высоких энергий, а полосы ФЛ при высоких уровнях возбуждения смещаются при этом в сторону низких энергий. Обсуждаются возможные причины и механизмы влияния температуры и интенсивности возбуждения на спектральные положения полос спонтанного и стимулированного излучения пленок твердых растворов. |
| Ключевые слова | тонкие пленки |
|
фотолюминесценция стимулированное излучение температурная зависимость солнечные элементы прямозонные полупроводниковые соединения полупроводниковые соединения CIGSSe |
|
| Другие авторы | Павловский, В. Н |
|
Муравицкая, Е. В. Луценко, Е. В. Яблонский, Г. П. Бородавченко, О. М. Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Якушев, М. В. Когновицкий, С. О. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 10. - С. 1058-1065 |
| Имя макрообъекта | Свитенков_спонтанное |
| Тип документа | b |
