Поиск

Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In[1-x]Ga[x])(SySe[1-y])[2] в составе солнечных элементов

Авторы: Свитенков, И. Е. Павловский, В. Н Муравицкая, Е. В. Луценко, Е. В. Яблонский, Г. П. Бородавченко, О. М. Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Якушев, М. В. Когновицкий, С. О.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Автор Свитенков, И. Е.
Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In[1-x]Ga[x])(SySe[1-y])[2] в составе солнечных элементов
Электронный ресурс
Аннотация Представлены результаты исследования спектров излучения тонких нанокристаллических пленок прямозонных твердых растворов Cu(In[1-x]Ga[x] )(SySe[1-y])[2] (CIGSSe) в структуре солнечных элементов при непрерывном ~ 0.5Вт/см{2} и наносекундном импульсном лазерном возбуждении в диапазоне плотности мощности возбуждения 0.1-53 кВт/см{2} и температурах 10-300 K. Обнаружено, что в тонких пленках CIGSSe возникает стимулированное излучение в интервале температур от 10 до 90K в спектральной области hv = 1.062-1.081 эВ с минимальным уровнем пороговой накачки ~ 1 кВт/см{2}. Показано, что с ростом интенсивности возбуждающего излучения полосы спонтанного излучения смещаются в сторону больших энергий. Установлено, что полосы фотолюминесценции при низких уровнях возбуждения и полосы cтимулированного излучения смещаются с ростом температуры в сторону высоких энергий, а полосы ФЛ при высоких уровнях возбуждения смещаются при этом в сторону низких энергий. Обсуждаются возможные причины и механизмы влияния температуры и интенсивности возбуждения на спектральные положения полос спонтанного и стимулированного излучения пленок твердых растворов.
Ключевые слова тонкие пленки
Другие авторы Павловский, В. Н
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 54, вып. 10. - С. 1058-1065
Имя макрообъекта Свитенков_спонтанное