| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676552245 |
| Дата корректировки | 11:42:53 9 июня 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.10.49940.9449 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калыгина, В. М. | |
|
Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе a- и E-Ga[2]O[3] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Рассмотрено влияние ультрафиолетового излучения и сильного электрического поля на проводимость структур на основе двух типов полиморфных пленок оксида галлия. Оба типа пленок Ga[2]O[3] получены осаждением из газовой фазы методом хлоридной эпитаксии на гладкие и структурированные сапфировые подложки ориентации (0001). В одном и том же процессе на гладких подложках росли a-Ga[2]O[3] пленки, а на структурированных - пленки оксида галлия, с регулярными структурами, перпендикулярными к подложке. Резистивные структуры на основе двухфазных пленок обнаруживают переход из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением. Время формирования отклика на УФ излучение - 5 с, время восстановления меньше 1 с. |
| Копьёв, В. В. | |
| Ключевые слова | ультрафиолетовое излучение |
|
проводимость структур оксид галлия HVPE полиморфизм ультрафиолет вольт-амперные характеристики полиморфные пленки |
|
|
Николаев, В. И. Алмаев, А. В. Цымбалов, А. В. Копьев, В. В. Петрова, Ю. С. Печников, И. А. Бутенко, П. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1035-1040 |
|
| Имя макрообъекта | Калыгина_влияние |
| Тип документа | b |
