| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе a- и E-Ga[2]O[3] Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Рассмотрено влияние ультрафиолетового излучения и сильного электрического поля на проводимость структур на основе двух типов полиморфных пленок оксида галлия. Оба типа пленок Ga[2]O[3] получены осаждением из газовой фазы методом хлоридной эпитаксии на гладкие и структурированные сапфировые подложки ориентации (0001). В одном и том же процессе на гладких подложках росли a-Ga[2]O[3] пленки, а на структурированных - пленки оксида галлия, с регулярными структурами, перпендикулярными к подложке. Резистивные структуры на основе двухфазных пленок обнаруживают переход из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением. Время формирования отклика на УФ излучение - 5 с, время восстановления меньше 1 с. |
| Ключевые слова | ультрафиолетовое излучение |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1035-1040 |
|
| Имя макрообъекта | Калыгина_влияние |
