| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676462931 |
| Дата корректировки | 10:27:26 8 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.09.49826.18 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Резник, Р. Р. | |
|
Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства Электронный ресурс |
|
| Synthesis of branched InGaN nanostructures on silicon: the influence of substrate temperature on morphological and optical properties | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Исследована зависимость морфологических характеристик и оптических свойств InGaN-наноструктур разветвленной морфологии на поверхности Si(111) от температуры подложки при выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что при увеличении температуры подложки увеличивается высота наноколонн InGaN, формирующихся на начальном этапе роста. Увеличение температуры роста InGaN-наноструктур также приводит к увеличению интенсивности спектров фотолюминесценции от таких структур, причем зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения являются линейными. Эти факты указывают на перспективность структур для оптических приложений, в частности для создания белых светодиодов на основе единого материала. |
| Ключевые слова |
кремний наноструктуры |
|
молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводники оптоэлектроника нитрид индия-галлия фотолюминесценция светодиоды |
|
|
Гридчин, В. О. Котляр, К. П. Крыжановская, Н. В. Морозов, С. В. Цырлин, Г. Э. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 884-887 |
|
| Имя макрообъекта | Резник_синтез |
| Тип документа | b |
