Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/676460855 |
Дата корректировки | 9:55:55 8 июня 2021 г. |
10.21883/FTP.2020.09.49822.14 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Охапкин, А. И. | |
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку Электронный ресурс |
|
Formation of ohmic contacts to diamond-like carbon layer deposited on dielectric diamond substrate | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
Аннотация | Описан процесс изготовления омических контактов к слою алмазоподобного углерода (DLC) при осаждении на него последовательно металлических слоев Au/Mo/Ti. Контакты имели хорошие механи- ческие и адгезионные свойства. Их удельное контактное сопротивление варьировалось от 1.4 · 10{-4} до 6.4 · 10{-5} Ом · см{2} в зависимости от толщины слоя DLC. Изучена температурная зависимость слоевого сопротивления пленок. Показано, что тонкие слои DLC обеспечивают лучшие характеристики омического контакта из-за их более равномерной графитизации в процессе термического отжига. |
Королёв, С. А. Краёв, С. А. |
|
Ключевые слова | омических контакты |
алмазоподобные углероды диэлектрические алмазные подложки плазмохимическое осаждение монокристаллические алмазы термический отжиг полупроводники |
|
Юнин, П. А. Архипова, Е. А. Краев, С. А. Королев, С. А. Дроздов, М. Н. Шашкин, В. И. |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 865-867 |
|
Имя макрообъекта | Охапкин_формирование |
Тип документа | b |