Поиск

Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку

Авторы: Охапкин, А. И. Королёв, С. А. Краёв, С. А. Юнин, П. А. Архипова, Е. А. Краев, С. А. Королев, С. А. Дроздов, М. Н. Шашкин, В. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/676460855
Дата корректировки 9:55:55 8 июня 2021 г.
10.21883/FTP.2020.09.49822.14
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Охапкин, А. И.
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
Электронный ресурс
Formation of ohmic contacts to diamond-like carbon layer deposited on dielectric diamond substrate
Иллюстрации/ тип воспроизводства цв. ил.
Библиография Библиогр.: 8 назв.
Аннотация Описан процесс изготовления омических контактов к слою алмазоподобного углерода (DLC) при осаждении на него последовательно металлических слоев Au/Mo/Ti. Контакты имели хорошие механи- ческие и адгезионные свойства. Их удельное контактное сопротивление варьировалось от 1.4 · 10{-4} до 6.4 · 10{-5} Ом · см{2} в зависимости от толщины слоя DLC. Изучена температурная зависимость слоевого сопротивления пленок. Показано, что тонкие слои DLC обеспечивают лучшие характеристики омического контакта из-за их более равномерной графитизации в процессе термического отжига.
Королёв, С. А.
Краёв, С. А.
Ключевые слова омических контакты
алмазоподобные углероды
диэлектрические алмазные подложки
плазмохимическое осаждение
монокристаллические алмазы
термический отжиг
полупроводники
Юнин, П. А.
Архипова, Е. А.
Краев, С. А.
Королев, С. А.
Дроздов, М. Н.
Шашкин, В. И.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 9. - С. 865-867
Имя макрообъекта Охапкин_формирование
Тип документа b