| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676394761 |
| Дата корректировки | 15:32:47 7 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.09.49821.13 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кавеев, А. К. | |
|
Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe[2] Электронный ресурс |
|
| Band gap opening at the Dirac point after the Co deposition on the (0001) surface of BiSbTeSe[2] topological insulator | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Впервые показано, что субнанометровые покрытия Со, нанесенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe[2] при температуре 330°C, открывают энергетическую щель в спектре топологических поверхностных состояний в области точки Дирака, со смещением положения точки Дирака, вызванным предварительным осаждением адсорбата при комнатной температуре. Ширина щели составляет 21 ± 6 мэВ. Температурно-зависимые измерения в диапазоне 15-150K не показали изменения ширины энергетической щели. |
| Ключевые слова | топологические изоляторы |
|
спинтроника энергетические щели точки Дирака ван-дер-ваальсовы зазоры легирование кобальт полупроводники |
|
|
Банщиков, А. Г. Терпицкий, А. Н. Голяшов, В. А. Терещенко, О. Е. Кох, К. А. Естюнин, Д. А. Шикин, А. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 859-864 |
|
| Имя макрообъекта | Кавеев_раскрытие |
| Тип документа | b |
