| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676381873 |
| Дата корректировки | 11:55:08 7 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.09.49813.9422 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бабичев, А. В. | |
|
Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы Электронный ресурс |
|
| A research of the photoresponse of graphene produced by chemical vapor deposition | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 67 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментов по созданию и изучению свойств фотодетекторных структур на основе монослойного графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы. В качестве базовой конструкции взята геометрия вертикального микрорезонатора Ta[2]O[5] с нижним диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем SiO[2]/Ta[2]O[5] с резонансной длиной волны вблизи 850 нм. Проведена оптимизация условий переноса и формирования мез в слое графена на поверхности микрорезонатора. Диагностика кристаллического качества графена после формирования мез в слое графена и контактных площадок методом комбинационного рассеяния света свидетельствует о монослойности графена с низкой интенсивностью особенности в его спектре, отвечающей за дефектность структуры. Проведено измерение величины фототока при локальной оптической накачке. |
| Ключевые слова | фотодетекторные структуры |
|
монослойный графен CVD-графен графен микрорезонаторы меза реактивное магнетронное распыление химическое осаждение |
|
|
Кадинская, С. А. Шубина, K. Ю. Васильев, А. А. Блохин, А. А. Моисеев, Э. И. Блохин, С. А. Мухин, И. С. Елисеев, И. А. Давыдов, В. Ю. Брунков, П. Н. Крыжановская, Н. В. Егоров, А. Ю. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 833-840 |
|
| Имя макрообъекта | Бабичев_исследование |
| Тип документа | b |
