| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676121838 |
| Дата корректировки | 11:41:46 4 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.08.49646.9398 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гармаш, В. И. | |
|
Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода Электронный ресурс |
|
| Investigation of the effect of atomic composition on the plasma-chemical rate etching of silicon nitride in power transistors based on AlGaN/GaN heterojunction | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода. Показано, как от конфигурации вхождения примесных атомов водорода в молекулярную структуру осажденного в плазме слоя нитрида кремния зависит последующий процесс его плазмохимического травления. Исследована зависимость скорости травления от параметров технологического процесса (рабочее давление в камере, мощность генератора плазмы, потоки рабочих газов, температура осаждения). Показано, что скорость травления пленки H[x]Si[r]N[z]H[y] не зависит напрямую от содержания водорода, но существенно зависит от соотношения [Si-H]/[N-H]-связей. Скорость травления H[x] Si[r]N[z]H[y] в плазме высокой плотности при малых мощностях значительно меньше зависит от конфигурации водородных связей, чем скорость травления этого диэлектрика в буферном травителе. |
| Ключевые слова | плазмохимическое травление |
|
нитрид кремния силовые транзисторы плазмохимическое осаждение ИК-фурье-спектрометрия водородные связи |
|
|
Земляков, В. Е. Егоркин, В. И. Ковальчук, А. В. Шаповал, С. Ю. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 748-752 |
|
| Имя макрообъекта | Гармаш_исследование |
| Тип документа | b |
