Поиск

Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода

Авторы: Гармаш, В. И. Земляков, В. Е. Егоркин, В. И. Ковальчук, А. В. Шаповал, С. Ю.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/676121838
Дата корректировки 11:41:46 4 июня 2021 г.
10.21883/FTP.2020.08.49646.9398
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Гармаш, В. И.
Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
Электронный ресурс
Investigation of the effect of atomic composition on the plasma-chemical rate etching of silicon nitride in power transistors based on AlGaN/GaN heterojunction
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 18 назв.
Аннотация Исследовано влияние атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода. Показано, как от конфигурации вхождения примесных атомов водорода в молекулярную структуру осажденного в плазме слоя нитрида кремния зависит последующий процесс его плазмохимического травления. Исследована зависимость скорости травления от параметров технологического процесса (рабочее давление в камере, мощность генератора плазмы, потоки рабочих газов, температура осаждения). Показано, что скорость травления пленки H[x]Si[r]N[z]H[y] не зависит напрямую от содержания водорода, но существенно зависит от соотношения [Si-H]/[N-H]-связей. Скорость травления H[x] Si[r]N[z]H[y] в плазме высокой плотности при малых мощностях значительно меньше зависит от конфигурации водородных связей, чем скорость травления этого диэлектрика в буферном травителе.
Ключевые слова плазмохимическое травление
нитрид кремния
силовые транзисторы
плазмохимическое осаждение
ИК-фурье-спектрометрия
водородные связи
Земляков, В. Е.
Егоркин, В. И.
Ковальчук, А. В.
Шаповал, С. Ю.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 8. - С. 748-752
Имя макрообъекта Гармаш_исследование
Тип документа b