Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
Поиск

Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода

Авторы: Гармаш, В. И. Земляков, В. Е. Егоркин, В. И. Ковальчук, А. В. Шаповал, С. Ю.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
Электронный ресурс
Ключевые слова плазмохимическое травление
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 8. - С. 748-752
Имя макрообъекта Гармаш_исследование