| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676046959 |
| Дата корректировки | 14:55:09 3 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.07.49504.9376 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кривякин, Г. К. | |
|
О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия Электронный ресурс |
|
| Effect of interfaces and thickness on the crystallization kinetics of amorphous germanium films | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Исследованы процессы кристаллизации пленок аморфного германия различной толщины и многослойных наноструктур германий/кремний, выращенных на стеклянных подложках методом плазмохимического осаждения, при изотермических отжигах 440°C. Фазовый состав пленок определялся из анализа спектров комбинационного рассеяния света. Установлено, что пленка германия толщиной 200 нм практически полностью кристаллизуется уже после двухчасового отжига, при этом в пленке германия толщиной 6 нм только возникают кристаллические зародыши с объемной долей < 1%. Четырехчасовой отжиг тонкой пленки приводит к заметному росту их размеров и доля кристалличности увеличивается до 40%. Отжиги наноразмерных слоев a-Ge (6нм), внедренных в матрицу a-Si в тех же условиях продолжительностью 2 и 4 ч, не приводят даже к частичной кристаллизации, слои остаются аморфными. Обсуждается влияние гетерограниц на кристаллизацию слоев германия. |
| Ключевые слова | германий |
|
гетерограницы кинетика кристаллизации кристаллизация пленок кремний наногетероструктуры широкозонные полупроводники полупроводники |
|
|
Володин, В. А. Камаев, Г. Н. Попов, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 7. - С. 643-647 |
|
| Имя макрообъекта | Кривякин_о влиянии |
| Тип документа | b |
