| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676043714 |
| Дата корректировки | 14:37:28 3 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.07.49503.9363 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бакулин, А. В. | |
|
Первопринципное изучение реконструкций поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb Электронный ресурс |
|
| First-principles investigation of (001) surface reconstructions of GaSb and InSb semiconductors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 53 назв. |
| Аннотация | Методом проекционных присоединенных волн проведено изучение атомной и электронной структуры реконструкций с симметрией (2 * 4), (4 * 2), c(4 * 4) и (4 * 3) на поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb. Показано, что в пределе обогащения катионами на поверхности GaSb(001) стабильной является реконструкция бета2(2 * 4), тогда как альфа2(2 * 4) имеет наименьшую энергию в случае InSb. Вблизи стехиометрического состава на поверхности GaSb(001) стабильными являются структуры альфа(4 * 3) и бета(4 * 3), что согласуется с экспериментальными данными. Обсуждается электронная структура реконструкций (4 * 3) с наименьшей поверхностной энергией. Выявлено слабое влияние химического состава катионов на структуру и локализацию поверхностных состояний при формировании структур (4 * 3). Установлена корреляция между поверхностной энергией некоторых реконструкций (4 * 2) и (2 * 4) и разницей атомных радиусов катионов и анионов. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
антимонид галлия антимонид индия поверхность (001) реконструкция поверхности электронная структура бинарные полупроводниковые соединения гетероструктуры тонкие полупроводниковые пленки |
|
| Кулькова, С. Е. | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 7. - С. 631-642 |
| Имя макрообъекта | Бакулин_первопринципное |
| Тип документа | b |
