| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Первопринципное изучение реконструкций поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом проекционных присоединенных волн проведено изучение атомной и электронной структуры реконструкций с симметрией (2 * 4), (4 * 2), c(4 * 4) и (4 * 3) на поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb. Показано, что в пределе обогащения катионами на поверхности GaSb(001) стабильной является реконструкция бета2(2 * 4), тогда как альфа2(2 * 4) имеет наименьшую энергию в случае InSb. Вблизи стехиометрического состава на поверхности GaSb(001) стабильными являются структуры альфа(4 * 3) и бета(4 * 3), что согласуется с экспериментальными данными. Обсуждается электронная структура реконструкций (4 * 3) с наименьшей поверхностной энергией. Выявлено слабое влияние химического состава катионов на структуру и локализацию поверхностных состояний при формировании структур (4 * 3). Установлена корреляция между поверхностной энергией некоторых реконструкций (4 * 2) и (2 * 4) и разницей атомных радиусов катионов и анионов. |
| Ключевые слова | полупроводники |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 7. - С. 631-642 |
| Имя макрообъекта | Бакулин_первопринципное |
