| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок бета-Ga[2]O[3] Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы структуры резистивного типа на основе пленок оксида галлия. Пленки Ga[2]O[3] получали ВЧ-магнетронным распылением мишени бета-Ga[2]O[3] (99.9999%) на не нагретые сапфировые подложки с предварительно нанесенными платиновыми электродами. Получены данные о структуре и фазовом составе пленок сразу после напыления и после отжига в аргоне при 900°C в течение 30 мин. Измерены темновые и вольт-амперные характеристики при воздействии излучения с лямбда = 254 нм. Показано, что после отжига фототок увеличивается на порядок. Экспериментально подтверждено отсутствие чувствительности исследованных структур к излучению в видимом интервале длин волн (лямбда = 400 нм). |
| Ключевые слова | ультрафиолетовое излучение |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 6. - С. 575-579 |
|
| Имя макрообъекта | Калыгина_солнечно |
