| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675964044 |
| Дата корректировки | 15:51:39 2 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.05.49256.9325 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ширяев, А. А. | |
|
Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула-Френкеля Электронный ресурс |
|
| Prediction of trapped charge value in buried silicon oxide of silicon-on-insulator structures using Poole-Frenkel effect | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование возможности прогнозирования с применением эффекта Пула-Френкеля величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе. Путем измерения и моделирования вольт-амперных характеристик захороненного оксида кремния при разных температурах определены условия для эффекта Пула-Френкеля в этом слое. Рассмотрены процессы, протекающие в захороненном оксиде при измерении вольт-амперных характеристик и отжиге. Определены условия термополевой обработки захороненного оксида для имитации радиационного воздействия с помощью инжекции. Проведена оценка зависимости величины накопленного положительного заряда в захороненном оксиде кремния в результате инжекции от величины тока Пула-Френкеля. Показана возможность применения эффекта Пула-Френкеля для оценки дефектности захороненного оксида при изготовлении микросхем с повышенной дозовой радиационной стойкостью. |
| Ключевые слова | кремний-на-изоляторе |
|
оксид кремния эффект Пула-Френкеля инжекция носителей заряда радиационная стойкость полупроводники |
|
|
Воротынцев, В. М. Шоболов, Е. Л. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 441-445 |
|
| Имя макрообъекта | Ширяев_прогнозирование |
| Тип документа | b |
