| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула-Френкеля Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведено исследование возможности прогнозирования с применением эффекта Пула-Френкеля величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе. Путем измерения и моделирования вольт-амперных характеристик захороненного оксида кремния при разных температурах определены условия для эффекта Пула-Френкеля в этом слое. Рассмотрены процессы, протекающие в захороненном оксиде при измерении вольт-амперных характеристик и отжиге. Определены условия термополевой обработки захороненного оксида для имитации радиационного воздействия с помощью инжекции. Проведена оценка зависимости величины накопленного положительного заряда в захороненном оксиде кремния в результате инжекции от величины тока Пула-Френкеля. Показана возможность применения эффекта Пула-Френкеля для оценки дефектности захороненного оксида при изготовлении микросхем с повышенной дозовой радиационной стойкостью. |
| Ключевые слова | кремний-на-изоляторе |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 441-445 |
|
| Имя макрообъекта | Ширяев_прогнозирование |
