| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675875128 |
| Дата корректировки | 15:09:46 1 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.04.49144.9301 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Фефелов, С. А. | |
|
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] Электронный ресурс |
|
| Multilevel recording in Ge[2]Sb[2]Te[5] thin-films | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] в качестве мемристора. |
| Служебное примечание | Былёв, А. Б. |
| Ключевые слова | халькогенидные стеклообразные полупроводники |
|
полупроводники эффект переключения фазовая память многоуровневая запись тонкие пленки |
|
|
Казакова, Л. П. Богословский, Н. А. Былев, А. Б. Якубов, А. О. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 372-375 |
|
| Имя макрообъекта | Фефелов_многоуровневая |
| Тип документа | b |
