| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675869211 |
| Дата корректировки | 13:30:19 1 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.04.49139.9337 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Новиков, С. В. | |
|
Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr[0.26]Si[0.74] от толщины Электронный ресурс |
|
| Thermoelectric properties of Cr[0.26]Si[0.74] thin films with different thickness | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Исследуются термоэлектрические свойства и кинетика кристаллизации тонких пленок Cr[0.26]Si[0.74] с толщинами 11, 14, 21, 31, 56, 74 и 115 мм. Пленки получены магнетронным распылением на холодную подложку и в исходном состоянии имеют аморфную структуру. В процессе термического отжига происходит преобразование аморфной смеси в двухфазный нанокристаллический композит, состоящий из дисилицида хрома и кремния. In situ измерения термоэлектрических свойств пленок в ходе отжига показали, что температура начала кристаллизации уменьшается, а скорость кристаллизации растет с уменьшением толщины пленок. Термоэдс нанокристаллических пленок уменьшается с ростом толщины пленок, а термоэлектрический фактор мощности достигает максимального значения в пленках толщиной 31 нм. |
| Ключевые слова | термоэлектричество |
|
силициды нанокристаллизация тонкие пленки факторы мощности кинетика кристаллизации |
|
|
Кузнецова, В. С. Бурков, А. Т. Шуманн, И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 355-357 |
|
| Имя макрообъекта | Новиков_зависимость |
| Тип документа | b |
