Особенности слоев SiO[2], синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания - Статьи - Базы данных - БГТУ

Особенности слоев SiO[2], синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания

Авторы: Барабан, А. П. Денисов, Е. А. Дмитриев, В. А. Дрозд, А. В. Дрозд, В. Е. Селиванов, А. А. Сейсян, Р. П.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Особенности слоев SiO[2], синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания Электронный ресурс
Аннотация	Проведено сравнение характеристик слоев оксида кремния, полученных различными технологическими способами. Показано, что каталитический способ получения слоев окиси кремния методом молекулярного наслаивания имеет ряд преимуществ. Главными из них являются низкая температура роста, качественная граница раздела с кремниевой подложкой и высокая скорость роста пленок. Исследования методом катодолюминесценции позволили оценить структурное качество слоев оксида кремния, полученных методом молекулярного наслаивания, и подтвердили представления о его возможностях для получения качественных пленок окиси кремния для широкого практического применения.
Ключевые слова	молекулярное наслаивание
	Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 427-431
Имя макрообъекта	Барабан_особенности