| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675774543 |
| Дата корректировки | 11:15:37 31 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.03.49036.9311 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Зубов, Ф. И. | |
|
Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями Электронный ресурс |
|
| Parasitic recombination in a laser with asymmetric barrier layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | В лазере с асимметричными барьерными слоями два тонких асимметричных барьерных слоя, прилегающих к активной области по обе стороны, направлены на предотвращение биполярной заселенности волноводных слоев и соответственно подавление паразитной рекомбинации в них. В работе предложена теоретическая модель лазера с асимметричными барьерными слоями, основанная на скоростных уравнениях, и учитывающая нежелательную утечку носителей заряда, которая неизбежно происходит в лазерах такого типа, реализуемых на практике. Получены решения уравнений для стационарного случая. На примере лазера на квантовой яме InGaAs/GaAs исследовано влияние утечек сквозь асимметричные барьерные слои на приборные характеристики. Оценены степени подавления паразитных потоков за счет асимметричных барьерных слоев, необходимые для устранения негативного влияния волноводной рекомбинации. Для рассматриваемого случая эффект от асимметричных барьерных слоев становится заметен при степенях подавления паразитных потоков C >= 10{2}. Для подавления 90% паразитного тока требуется C ~~ 2 · 10{4}. В работе также исследовано воздействие асимметричных барьерных слоев на полезные потоки носителей, поступающих в активную область. |
|
диодные лазеры асимметричные барьерные слои паразитная волноводная рекомбинация слои оптического ограничения конструкция модельного лазера полупроводниковые материалы |
|
|
Муретова, М. Е. Паюсов, А. С. Максимов, М. В. Жуков, А. Е. Асрян, Л. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 3. - С. 296-303 |
|
| Имя макрообъекта | Зубов_паразитная |
| Тип документа | b |
