Поиск

Эпитаксиальные пленки Fe[3]O[4], выращенные методом импульсного лазерного осаждения на R-плоскости сапфира

Авторы: Маликов, И. В. Березин, В. А. Фомин, Л. А. Черных, А. В.
Подробная информация
Индекс УДК 546
539.2
Эпитаксиальные пленки Fe[3]O[4], выращенные методом импульсного лазерного осаждения на R-плоскости сапфира
И. В. Маликов, В. А. Березин, Л. А. Фомин, А. В. Черных
Аннотация Исследовано влияние температуры и давления молекулярного кислорода на свойства тонких (до 180 нм) эпитаксиальных пленок магнетита Fe[3]O[4] (001), выращенных методом импульсного лазерного осаждения на R-плоскости монокристаллического сапфира Al[2]O[3] (1012) с подслоем MgO и без него. Изучены их электрические, морфологические и структурные характеристики в зависимости от условий роста. Обнаружено плато устойчивого роста Fe[3]O[4] в диапазоне давлений (4-9) · 10{-5} мм рт. ст. Установлено, что свойства эпитаксиальных пленок Fe[3]O[4] на подслое MgO (5 нм) соответствуют выращиваемым на монокристаллических подложках MgO, при этом они превосходят по качеству пленки, выращенные на чистой R-плоскости сапфира. Наилучшие электрические характеристики и соответствующая им кристаллическая структура пленок достигаются при повышенных температурах роста, а минимальная шероховатость и максимальная однородность поверхности, наоборот, при пониженных. Совместить эти условия позволяет отжиг при высоких температурах в высоком вакууме пленок магнетита, предварительно выращенных при пониженной температуре.
Название источника Неорганические материалы
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 56, № 2. - С. 173-180
https://sciencejournals.ru/list-issues/neorgmat/
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42365989