| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675620462 |
| Дата корректировки | 16:41:14 29 мая 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.03.49029.9309 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Fan, Zhang | |
|
Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi[x]O[y] на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов Электронный ресурс |
|
| Formation of amorphous nanoclusters and germanium nanocrystals in GeSi[x]O[y] films on quartz substrates using furnace and pulse laser annealing | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. табл. |
| Библиография | Библиогр.: 36 назв. |
| Аннотация | Пленки нестехиометрических германосиликатных стекол GeO[0.5][SiO[2]][0.5] и GeO[0.5][SiO][0.5] получены соиспарением порошков GeO[2] и SiO либо SiO[2] и напылением на холоднуюпо дложку из плавленого кварца в высоком вакууме. Затем пленки подвергались печным либо импульсным лазерным отжигам (XeCl лазер, лямбда = 308 нм, длительность импульса 15 нс). Свойства образцов были исследованы с применением методов спектроскопии пропускания и отражения, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Как показал анализ спектров комбинационного рассеяния света, осажденная при температуре подложки 100°C пленка GeO[SiO] содержала кластеры аморфного германия, а в спектрах комбинационного рассеяния света осажденной при той же температуре пленки GeO[SiO[2]] сигнала от колебаний связей Ge-Ge не обнаружено. Край оптического поглощения исходной пленки GeO[SiO[2]] составлял ~ 400 нм, а в пленке GeO[SiO] наблюдалось поглощение вплоть до ближнего инфракрасного диапазона, очевидно, вследствие поглощения на германиевых нанокластерах. Отжиги приводили к длинноволновому сдвигу края поглощения. После отжига при 450°C в пленке GeO[SiO[2]] были обнаружены кластеры аморфного германия, а после отжига при 550°C, а также после импульсного лазерного отжига в ней обнаружены нанокристаллы германия. Для кристаллизации аморфных нанокластеров в пленке GeO[SiO] потребовался отжиг при температуре 680°C. При этом размеры нанокластеров Ge в ней были меньше, чем в пленке GeO[SiO[2]]. С применением импульсного лазерного отжига не удалось кристаллизовать кластеры германия в пленке GeO[SiO]. Очевидно, чем меньше размер полупроводниковых нанокластеров в диэлектрической матрице, тем труднее их кристаллизовать. В спектрах фотолюминесценции отожженных пленок при низкой температуре обнаружены сигналы, которые обусловлены либо дефектами, либо кластерами германия |
| Ключевые слова | нанокластеры |
|
нанокристаллы германосиликатные стекла германий кристаллизация импульсные лазерные отжиги фотолюминесценция полупроводники |
|
|
Кочубей, С. А. Stoffel, M. Rinnert, H. Vergnat, M. Володин, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 3. - С. 251-258 |
|
| Имя макрообъекта | Fan_формирование |
| Тип документа | b |
