| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675614248 |
| Дата корректировки | 14:40:51 29 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.02.48907.9290 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Моисеев, Э. И. | |
|
Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs Электронный ресурс |
|
| Comparative analysis of diode microdisk lasers based of InGaAsN quantum wells and InAs/InGaAs quantum dots | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время последние характеризуются заметно меньшей долей излучаемой мощности, приходящейся на лазерные моды. Также для них характерен перескок к генерации через возбужденный оптический переход. Этих недостатков лишены микродисковые лазеры на основе InGaAsN. |
| Ключевые слова | инжекционные микродисковые лазеры |
|
микролазеры квантовые ямы квантовые точки азотсодержащие полупроводники полупроводники |
|
|
Максимов, М. В. Крыжановская, Н. В. Симчук, О. И. Кулагина, М. М. Кадинская, С. А. Guina, M. Жуков, А. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 212-216 |
|
| Имя макрообъекта | Моисеев_сравнительный |
| Тип документа | b |
