| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675529276 |
| Дата корректировки | 15:07:03 28 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.02.48891.9272 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Зайцева, Э. Г. | |
|
Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния Электронный ресурс |
|
| Profiling of mobility components near interfaces of silicon thin films | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Предложен метод профилирования компонент эффективной подвижности носителей заряда µ[eff], определяемых рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границ раздела тонкая пленка/диэлектрик. Метод основан на управляемой локализации носителей заряда относительно тестируемой гетерограницы за счет взаимосвязи потенциалов на противоположных сторонах пленки (coupling-эффекта). Предложенный метод позволяет независимо выделять компоненты подвижности вблизи разных гетерограниц пленок. Использование его при исследовании подвижности электронов в пленках кремний-на-изоляторе позволило получить информацию о шероховатости границы раздела и структурном совершенстве ультратонкого (1-3 нм) слоя кремния вблизи скрытой границы раздела пленка/диэлектрик. |
| Ключевые слова | тонкие пленки |
|
кремний-на-изоляторе гетерограницы пленок профилирование |
|
|
Наумова, О. В. Фомин, Б. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 124-128 |
|
| Имя макрообъекта | Зайцева_профилирование |
| Тип документа | b |
