| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675510634 |
| Дата корректировки | 9:54:12 28 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.01.48779.9253 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Михайлов, А. И. | |
|
Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом Электронный ресурс |
|
| 4H-SiC power MOSFET with epitaxial buried channel | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Для уменьшения сопротивления силового МДП-транзистора на 4H-SiC во включенном состоянии предложен способ формирования заглубленного канала путем эпитаксиального наращивания слоев на поверхности высоколегированной p-области. Рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в канале такого транзистора в сравнении с изготовленным по обычной технологии. Достигнуто уменьшение сопротивления силового МДП-транзистора более чем в 3 раза. |
| Ключевые слова | эпитаксия |
|
канал транзистора МДП-транзисторы MOSFET эпитаксиальные заглубленные каналы диоды Шоттки |
|
|
Афанасьев, А. В. Ильин, В. А. Лучинин, В. В. Решанов, С. А. Schoner, A. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 1. - С. 79-84 |
|
| Имя макрообъекта | Михайлов_силовой |
| Тип документа | b |
