| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Оптимизация толщины слоя In[0.3]Ga[0.7]As в трехкаскадном In[0.3]Ga[0.7]As/GaAs/In[0.5]Ga[0.5]P солнечном элементе Электронный ресурс |
|
| Аннотация | С помощью программного пакета для приборно-технологического моделирования ”Sentaurus TCAD“ производился поиск оптимальной толщины поглощающего слоя нижнего каскада In0.3Ga0.7As трехкаскадного In[0.3]Ga[0.7]As/GaAs/In[0.5]Ga[0.5]P солнечного элемента в зависимости от времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое. Величина времени жизни задавалась в диапазоне от 17 пс до 53 нс. Результаты расчета показали, что в зависимости от величины времени жизни оптимальная толщина принимает различные значения в диапазоне от 0.9 до 7.5 мкм. Также была проведена оценка вклада в кпд данного трехкаскадного солнечного элемента от нижнего In[0.3]Ga[0.7]As каскада. При различных значениях времен жизни, его величина составила от 1 до 7%. |
| Ключевые слова | численное моделирование |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 1. - С. 65-68 |
|
| Имя макрообъекта | Леган_оптимизация |
