Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/675352770 |
Дата корректировки | 14:08:42 26 мая 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Коряжкина, М. Н. | |
Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник | |
Electric and photoelectric properties of metal-insulator-semiconductor structures based on Si with Au nanoparticles deposited at the insulator/semiconductor boundary | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
Аннотация | Показано, что формирование наночастиц Au на границе раздела диэлектрик/кремний в структурах с высокой плотностью поверхностных состояний приводит к смещению энергии закрепления уровня Ферми на этой границе раздела к потолку валентной зоны кремния и увеличению плотности поверхностных состояний при энергиях, близких к уровню Ферми. На кривых фоточувствительности конденсаторной фотоэдс при этом появляется полоса с максимумом при 0.85 эВ, которая объясняется фотоэмиссией электронов и состояний, примыкающих к потолку валентной зоны кремния и образованных наночастиц Au. |
Ключевые слова | наночастицы золота |
металлы диэлектрики полупроводники уровень Ферми электрические свойства фотоэлектрические свойства фотоэмиссия электронов |
|
Тихов, С. В. Горшков, О. Н. Касаткин, А. П. Антонов, И. Н. |
|
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1639-1643 |
Имя макрообъекта | Коряжкина_электрические |
Тип документа | b |