Поиск

Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}

Авторы: Караваев, М. Б. Кириленко, Д. А. Иванова, Е. В. Попова, Т. Б. Ситникова, А. А. Седова, И. В. Заморянская, М. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/675350666
Дата корректировки 13:30:01 26 мая 2021 г.
10.21883/FTP.2017.01.8249
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Караваев, М. Б.
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}
Электронный ресурс
Аннотация Методами локальной катодолюминесценции и рентгеноспектрального микроанализа проведено комплексное исследование широкозонных наногетероструктур на основе ZnSe, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Было показано, что используемые методы позволяют неразрушающим способом определять глубину залегания, элементный состав и геометрические параметры наноразмерного слоя ZnCdSe. Точность результатов контролировалась методом просвечивающей электронной микроскопии. Методики исследования основаны на возможности варьирования энергии первичного электронного пучка, что приводит к изменению областей генерации характеристического рентгеновского излучения и катодолюминесценции.
Ключевые слова наногетероструктуры
полупроводниковые соединения
локальная катодолюминесценция
катодолюминесценция
рентгеноспектральный микроанализ
молекулярно-пучковая эпитаксия
электронная микроскопия
Кириленко, Д. А.
Иванова, Е. В.
Попова, Т. Б.
Ситникова, А. А.
Седова, И. В.
Заморянская, М. В.
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 12. - С. 1726
Имя макрообъекта Караваев_исследование
Тип документа b