Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/675350666 |
Дата корректировки | 13:30:01 26 мая 2021 г. |
10.21883/FTP.2017.01.8249 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Караваев, М. Б. | |
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI} Электронный ресурс |
|
Аннотация | Методами локальной катодолюминесценции и рентгеноспектрального микроанализа проведено комплексное исследование широкозонных наногетероструктур на основе ZnSe, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Было показано, что используемые методы позволяют неразрушающим способом определять глубину залегания, элементный состав и геометрические параметры наноразмерного слоя ZnCdSe. Точность результатов контролировалась методом просвечивающей электронной микроскопии. Методики исследования основаны на возможности варьирования энергии первичного электронного пучка, что приводит к изменению областей генерации характеристического рентгеновского излучения и катодолюминесценции. |
Ключевые слова | наногетероструктуры |
полупроводниковые соединения локальная катодолюминесценция катодолюминесценция рентгеноспектральный микроанализ молекулярно-пучковая эпитаксия электронная микроскопия |
|
Кириленко, Д. А. Иванова, Е. В. Попова, Т. Б. Ситникова, А. А. Седова, И. В. Заморянская, М. В. |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 12. - С. 1726 |
|
Имя макрообъекта | Караваев_исследование |
Тип документа | b |