| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675344925 |
| Дата корректировки | 13:18:40 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ищенко, Д. В. | |
|
Твердый раствор PbSnTe : In - уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность Электронный ресурс |
|
| Solid solution PbSnTe : In — electron capture levels, galvanomagnetic properties and THz sensitivity | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Рассмотрена модель Pb[1-x]Sn[x]Te : In, основанная на представлениях теории неупорядоченных систем, проведены расчеты температурных зависимостей положения уровня Ферми и концентрации носителей заряда в зависимости от уровня легирования индием и их сравнение с экспериментальными данными. Проведен расчет нестационарных вольт-амперных характеристик в режиме инжекции из контакта и ограничения тока пространственным зарядом при различных скоростях изменения напряжения, выполнено сравнение полученных данных с экспериментом и показано, что вид характеристик определяется параметрами захвата электронов на локализованные состояния. Исследованы релаксации фототока в магнитном поле и обсужден механизм таких релаксаций в предположении о магнитном вымораживании носителей заряда. |
| Ключевые слова | твердые растворы |
|
гальваномагнитные свойства фоточувствительность уровень Ферми легирование индием релаксации фототока |
|
|
Климов, А. Э. Шумский, В. Н. Эпов, В. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 12. - С. 1662-1668 |
|
| Имя макрообъекта | Ищенко_твердый |
| Тип документа | b |
