| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675262805 |
| Дата корректировки | 11:44:25 27 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.11.50055.139 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Романов, В. В. | |
|
Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования электролюминесцентных и вольт-амперных характеристик гетероструктуры n-InAs/n-InAsSb/p-InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. В спектральном диапазоне 0.23-0.29 eV обнаружена интенсивная электролюминесценция при температуре T = 77 K. Положение максимума основной полосы излучения (h ню приблизительно равно 0.24 eV) демонстрировало заметный "голубой" сдвиг при увеличении приложенного прямого смещения. На основании проведенных исследований был сделан вывод о существовании на гетерогранице InAs[0.84]Sb[0.16]/InAs[0.32]Sb[0.28]P[0.40] ступенчатого гетероперехода II типа, что подтверждается результатами расчета зонной энергетической диаграммы. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
антимониды арсенид индия метод газофазной эпитаксии электролюминесценция вольт-амперные характеристики гетеропереходы |
|
| Другие авторы | Иванов, Э. В. |
| Моисеев, К. Д. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 11. - С. 1822-1827 |
| Имя макрообъекта | Романов_формирование |
| Тип документа | b |
