| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675250948 |
| Дата корректировки | 9:58:17 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мартовицкий, В. П. | |
|
Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям Электронный ресурс |
|
| Thermal stability of Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) Si/Ge virtual wafers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | На виртуальной подложке (001) Si/Ge была выращена структура, состоящая из пяти упругонапряженных метастабильных слоев GeSn толщиной 200 нм каждый, разделенных прослойками из германия толщиной 20 нм. Мольная доля олова в слоях GeSn имела следующие значения: 0.005, 0.034, 0.047, 0.072 и 0.10. После роста структура подвергалась термическому отжигу в течение 2 мин при температуре 400°C. Показано, что в процессе отжига наряду с пластической релаксацией происходит фазовый распад сплава GeSn, который начинается еще до завершения процесса пластической релаксации. Структурная деградация слоев GeSn возрастала с ростом концентрации олова, которая накапливалась на поверхности структуры в виде аморфного слоя. |
| Ключевые слова | метастабильные эпитаксиальные слои |
|
эпитаксиальные слои упругонапряженные метастабильные слои спектры фотолюминесценции фотолюминесценция молекулярно-пучковая эпитаксия |
|
|
Садофьев, Ю. Г. Клековкин, А. В. Сарайкин, В. В. Васильевский, И. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1570-1575 |
|
| Имя макрообъекта | Мартовицкий_исследование |
| Тип документа | b |
