| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675177791 |
| Дата корректировки | 13:39:26 24 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Данильцев, В. М. | |
|
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника Электронный ресурс |
|
| Heavily doped GaAs : Te layers, obtained in the MOVPE process using diizopropiltellurid as a source | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~ 10{21} см{-3} без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2 · 10{19} см{-3}) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7 · 10{-6} Ом · см{2}) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2 · 10{20} см{-3}. |
| Служебное примечание | Краёв, С. А. |
| Ключевые слова | диизопропилтеллурид |
|
эпитаксиальные слои арсенид галлия теллур легирование эффект Холла электронно-лучевое распыление |
|
|
Демидов, Е. В. Дроздов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Краев, С. А. Суровегина, Е. А. Шашкин, В. И. Юнин, П. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 |
| Имя макрообъекта | Данильцев_сильно |
| Тип документа | b |
