Поиск

Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe

Авторы: Бовкун, Л. С. Алёшкин, В. Я. Криштопенко, С. С. Иконников, А. В. Алешкин, В. Я. Кадыков, А. М. Teppe, F. Михайлов, Н. Н. Дворецкий, С. А. Гавриленко, В. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/675170620
Дата корректировки 11:44:13 24 мая 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Бовкун, Л. С.
Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
Электронный ресурс
Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 25 назв.
Аннотация Исследованы спектры магнитопоглощения в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe с нормальным и инвертированным зонным спектром. На основе модели Кейна 8 · 8 рассчитаны уровни Ландау в симметричных квантовых ямах с прямоугольным профилем потенциала. Показано, что наличие туннельно-прозрачного барьера приводит к расщеплению состояний и "удвоению" основных линий магнитопоглощения. При ширине ям, близкой к критической, для структуры с одиночной квантовой ямой показаны наличие инверсии зон и возникновение бесщелевой зонной структуры, как в двухслойном графене. Обнаружен сдвиг линий магнитопоглощения при изменении концентрации носителей за счет эффекта остаточной фотопроводимости, связываемый с изменением профиля потенциала при перезарядке ловушек, что открывает возможность управления топологическими фазовыми переходами в таких структурах.
Служебное примечание Алёшкин, В. Я.
Ключевые слова магнитоспектроскопия
спектры магнитопоглощения
двойные квантовые ямы
квантовые ямы
модели Кейна
уровни Ландау
туннельно-прозрачные барьеры
остаточная фотопроводимость
гетероструктуры
полупроводники
теллурид ртути
теллурид кадмия-ртути
Криштопенко, С. С.
Иконников, А. В.
Алешкин, В. Я.
Кадыков, А. М.
Ruffenach, S.
Consejo, C.
Teppe, F.
Knap, W.
Orlita, M.
Piot, B.
Potemski, M.
Михайлов, Н. Н.
Дворецкий, С. А.
Гавриленко, В. И.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 11. - С. 1554-1560
Имя макрообъекта Бовкун_магнитоспектроскопия
Тип документа b