| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674991470 |
| Дата корректировки | 9:53:10 22 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мездрогина, М. М. | |
|
Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями Электронный ресурс |
|
| Intensity of illumination in UF, IR areas of spectrum in films, nano rods, single crystalls ZnO doped with Er and co-doped impurities | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Для ZnO пленок, наностержней, монокристаллов, легированных Er{+}, показано, что влияние дополнительно введенных примесей в катионную, анионную подрешетки, реализация интенсивного излучения полосы с лямбда[max] = 1535 нм определяется концентрацией и локальным окружением иона. Легирование пленок, монокристаллов с помощью метода диффузии Er{+} приводит к излучениюв ИК-области спектра с малой интенсивностьюв следствие недостаточной концентрации примесного иона. Увеличение интенсивности излучения данной полосы может быть достигнуто введением дополнительных примесей Ag, Au, N{+} в пленки ZnO. Интенсивность излучения в УФ-области для пленок, монокристаллов, легированных Er, с лямбда[max] = (368-372) нм такая же, как для нелегированных пленок. В наностержнях ZnO, легированных только Er или дополнительно введенными примесями Al, Ga, имеется полоса излучения в ИК-области (с лямбда[max] = 1535 нм), интенсивность которой уменьшается при введении ко-допантов. Легирование наностержней в процессе роста (930 < T < 960°C) газовой примесью N{+}, затем Er{+} методом диффузии не приводит к существенному увеличениюинтенсивности излучения в ИК-области по сравнению с интенcивностью излучения данной полосы для нелегированных N{+} наноcтержней. Для наностержней, легированных Er, в спектрах ФЛ которых в ИК-области имеется интенсивная полоса излучения с лямбда[max] = 1535 нм, практически отсутствует излучение в УФ-области с лямбда[max] = 372 нм. |
| Ключевые слова | излучения в УФ-областях |
|
излучения в ИК-областях оксид цинка легирование пленок широкозонные полупроводники редкоземельные ионы наностержни монокристаллы |
|
|
Виноградов, А. Я. Кузьмин, Р. В. Левицкий, В. С. Кожанова, Ю. В. Лянгузов, Н. В. Чукичев, М. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1325-1332 |
| Имя макрообъекта | Мездрогина_интенсивность |
| Тип документа | b |
