Индекс УДК | 621.315.592 |
Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями Электронный ресурс |
|
Аннотация | Для ZnO пленок, наностержней, монокристаллов, легированных Er{+}, показано, что влияние дополнительно введенных примесей в катионную, анионную подрешетки, реализация интенсивного излучения полосы с лямбда[max] = 1535 нм определяется концентрацией и локальным окружением иона. Легирование пленок, монокристаллов с помощью метода диффузии Er{+} приводит к излучениюв ИК-области спектра с малой интенсивностьюв следствие недостаточной концентрации примесного иона. Увеличение интенсивности излучения данной полосы может быть достигнуто введением дополнительных примесей Ag, Au, N{+} в пленки ZnO. Интенсивность излучения в УФ-области для пленок, монокристаллов, легированных Er, с лямбда[max] = (368-372) нм такая же, как для нелегированных пленок. В наностержнях ZnO, легированных только Er или дополнительно введенными примесями Al, Ga, имеется полоса излучения в ИК-области (с лямбда[max] = 1535 нм), интенсивность которой уменьшается при введении ко-допантов. Легирование наностержней в процессе роста (930 < T < 960°C) газовой примесью N{+}, затем Er{+} методом диффузии не приводит к существенному увеличениюинтенсивности излучения в ИК-области по сравнению с интенcивностью излучения данной полосы для нелегированных N{+} наноcтержней. Для наностержней, легированных Er, в спектрах ФЛ которых в ИК-области имеется интенсивная полоса излучения с лямбда[max] = 1535 нм, практически отсутствует излучение в УФ-области с лямбда[max] = 372 нм. |
Ключевые слова | излучения в УФ-областях |
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1325-1332 |
Имя макрообъекта | Мездрогина_интенсивность |