Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/674990324 |
Дата корректировки | 9:32:09 22 мая 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Куницына, Е. В. | |
Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра Электронный ресурс |
|
Spectral sensitivity enhancement mid-infrared spectral range photodiodes | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
Аннотация | Применен новый метод повышения спектральной чувствительности фотодиодов на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 1.1-2.4 мкм. Показано, что формирование рельефа в виде углублений на тыльной неосвещаемой поверхности фотодиодного чипа, свободной от металлизации, позволяет увеличить спектральную чувствительность фотодиодов в интервале длин волн 1.8-2.4мкм. Наибольшее увеличение, до 53% в максимуме, по сравнению с чувствительностью традиционных фотодиодов со сплошной металлизированной тыльной поверхностью чипа наблюдается для фотодиодов, чипы которых имеют мелкие углубления радиусом 30мкм. Данные приборы могут найти широкое применение в системах для измерения количества воды в нефтепродуктах, влажности бумаги, почвы и зерна. |
Ключевые слова | фотодиоды |
спектральная чувствительность гетероструктуры антимонид галлия лазерно-диодная спектроскопия лазерная дальнометрия |
|
Гребенщикова, Е. А. Коновалов, Г. Г. Андреев, И. А. Яковлев, Ю. П. |
|
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1420-1424 |
Имя макрообъекта | Куницына_повышение |
Тип документа | b |