| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Применен новый метод повышения спектральной чувствительности фотодиодов на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 1.1-2.4 мкм. Показано, что формирование рельефа в виде углублений на тыльной неосвещаемой поверхности фотодиодного чипа, свободной от металлизации, позволяет увеличить спектральную чувствительность фотодиодов в интервале длин волн 1.8-2.4мкм. Наибольшее увеличение, до 53% в максимуме, по сравнению с чувствительностью традиционных фотодиодов со сплошной металлизированной тыльной поверхностью чипа наблюдается для фотодиодов, чипы которых имеют мелкие углубления радиусом 30мкм. Данные приборы могут найти широкое применение в системах для измерения количества воды в нефтепродуктах, влажности бумаги, почвы и зерна. |
| Ключевые слова | фотодиоды |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1420-1424 |
| Имя макрообъекта | Куницына_повышение |
