| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674986789 |
| Дата корректировки | 8:25:41 22 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бочкарева, Н. И. | |
|
Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода Электронный ресурс |
|
| Efficiency droop at high injection levels in GaN light-emitting diodes: role of hydrogen | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Анализируются точечные дефекты в GaN, в частности, их проявление в фотолюминесценции, оптическом поглощении и рекомбинационном токе светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN. Как показывают результаты, широкий хвост дефектных состояний в запрещенной зоне GaN облегчает туннелирование термически активированных носителей в квантовую яму, но одновременно приводит к уменьшению безызлучательного времени жизни и падению эффективности по мере того, как квазиуровни Ферми пересекают состояния дефектов при увеличении прямого смещения. Результаты позволяют выявить доминирующую роль водорода в рекомбинационной активности дефектов с оборванными связями и в эффективности приборов на основе GaN. |
| Служебное примечание | Бочкарёва, Н. И. |
| Ключевые слова | GaN-светодиоды |
|
светодиоды точечные дефекты фотолюминесценция оптическое поглощение квантовые ямы нитрид галлия |
|
|
Шеремет, И. А. Шретер, Ю. Г. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1387-1394 |
| Имя макрообъекта | Бочкарева_падение |
| Тип документа | b |
