Поиск

Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C)

Авторы: Андреев, В. М. Малевский, Д. А. Покровский, П. В. Румянцев, В. Д. Чекалин, А. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/674911502
Дата корректировки 15:45:39 25 мая 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Андреев, В. М.
Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C)
Электронный ресурс
Photoelectric parameters of triple-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in wide temperature range (-197 <= T <= +85°C)
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 16 назв.
Аннотация Цельюн астоящей работы является исследование основных фотоэлектрических характеристик трех- каскадных фотоэлектрических преобразователей InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C). Благодаря анализу спектров фоточувствительности и световых вольт-амперных характеристик определены зависимости от температуры таких величин, как напряжение холостого хода (V[oc]), фактор заполнения вольт-амперной характеристики (FF) и эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения. Исследования проводились при интенсивностях засветки, соответствующих работе при концентрированном облучении. Пониженные температуры способствовали отбору образцов с минимальными "паразитными" потенциальными барьерами. Оценено влияние процессов переноса возбуждения из каскада в каскад с помощьюв торичного люминесцентного излучения. Наивысшая эффективность фотоэлектрического преобразования 52% была измерена при кратности концентрирования 100 "солнц" и температуре -160°C.
Ключевые слова трехпереходные солнечные элементы
трехкаскадные фотоэлектрические преобразователи
фотоэлектрическое преобразование
люминесцентное излучение
фосфид индия-галлия
арсенид индия-галлия
германий
Малевский, Д. А.
Покровский, П. В.
Румянцев, В. Д.
Чекалин, А. В.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 10. - С. 1374-1379
Имя макрообъекта Андреев_основные
Тип документа b