| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Цельюн астоящей работы является исследование основных фотоэлектрических характеристик трех- каскадных фотоэлектрических преобразователей InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C). Благодаря анализу спектров фоточувствительности и световых вольт-амперных характеристик определены зависимости от температуры таких величин, как напряжение холостого хода (V[oc]), фактор заполнения вольт-амперной характеристики (FF) и эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения. Исследования проводились при интенсивностях засветки, соответствующих работе при концентрированном облучении. Пониженные температуры способствовали отбору образцов с минимальными "паразитными" потенциальными барьерами. Оценено влияние процессов переноса возбуждения из каскада в каскад с помощьюв торичного люминесцентного излучения. Наивысшая эффективность фотоэлектрического преобразования 52% была измерена при кратности концентрирования 100 "солнц" и температуре -160°C. |
| Ключевые слова | трехпереходные солнечные элементы |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1374-1379 |
| Имя макрообъекта | Андреев_основные |
