Поиск

Релаксация тока в монокристаллах TlGa[1-x]Dy[x]Se[2] (x = 0.01; 0.03)

Авторы: Мустафаева, С. Н. Гусейнова, К. М. Асадов, М. М.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/673785012
Дата корректировки 10:43:21 8 мая 2021 г.
10.21883/FTT.2020.07.49466.010
Служба первич. каталог. Войтик
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.21
Мустафаева, С. Н.
Релаксация тока в монокристаллах TlGa[1-x]Dy[x]Se[2] (x = 0.01; 0.03)
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 16 назв.
Аннотация Представлены экспериментальные результаты по исследованию низкотемпературных релаксационных процессов в монокристаллах TlGa[1-x]Dy[x]Se[2] (x = 0.01; 0.03). С помощью эстафетного механизма переноса заряда, образованного на глубоких ловушках за счет инжекции носителей с контакта, определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в образцах Ag-TlGa[1-x]Dy[x]Se[2]-Ag: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров; контактная емкость образцов; область сосредоточения заряда в образцах; постоянная зарядки контакта; время пролета носителей заряда через образец.
Ключевые слова монокристаллы
релаксация тока
механизм переноса заряда
инжекция
глубокие ловушки
аккумуляция заряда
Другие авторы Гусейнова, К. М.
Асадов, М. М.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 62, вып. 7. - С. 1022-1027
Имя макрообъекта Мустафаева_релаксация
Тип документа b