Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/673785012 |
Дата корректировки | 10:43:21 8 мая 2021 г. |
10.21883/FTT.2020.07.49466.010 | |
Служба первич. каталог. | Войтик |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Мустафаева, С. Н. | |
Релаксация тока в монокристаллах TlGa[1-x]Dy[x]Se[2] (x = 0.01; 0.03) Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
Аннотация | Представлены экспериментальные результаты по исследованию низкотемпературных релаксационных процессов в монокристаллах TlGa[1-x]Dy[x]Se[2] (x = 0.01; 0.03). С помощью эстафетного механизма переноса заряда, образованного на глубоких ловушках за счет инжекции носителей с контакта, определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в образцах Ag-TlGa[1-x]Dy[x]Se[2]-Ag: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров; контактная емкость образцов; область сосредоточения заряда в образцах; постоянная зарядки контакта; время пролета носителей заряда через образец. |
Ключевые слова | монокристаллы |
релаксация тока механизм переноса заряда инжекция глубокие ловушки аккумуляция заряда |
|
Другие авторы | Гусейнова, К. М. |
Асадов, М. М. | |
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2020 |
Прочая информация | Т. 62, вып. 7. - С. 1022-1027 |
Имя макрообъекта | Мустафаева_релаксация |
Тип документа | b |