| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671898501 |
| Дата корректировки | 14:42:49 16 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Эминов, Ш. О. | |
|
Изучение примесной фотопроводимости в p-InSb с использованием эпитаксиальных p{+}-контактов Электронный ресурс |
|
| Study of impurity photoconductivity in p-InSb using epitaxial p{+}-contacts | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | В эпитаксиальных p{+}-слоях InSb (концентрация дырок p ~ 1 · 10{17}-1.2 · 10{19} см{-3}), выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из p-InSb, в спектральном диапазоне 5-12 мкм при 90K проведены измерения коэффициента оптического поглощения альфа и примесной фотопроводимости (60 и 90K) в структурах p{+}-p-типа. Установлено, что в p{+}-слоях альфа достигает значения 7000 см{-1} при p ~ 2 · 10{19} см{-1}. Объяснение различия состоит в том, что оптические переходы дырок, ответственные за фотопроводимость, маскируются переходами электронов в зону проводимости. Сечение фотоионизации для этих переходов не превышает 1 · 10{15} см{2}. |
| Ключевые слова | фотопроводимость |
|
эпитаксиальные p{+}-контакты антимонид индия полупроводники |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1025-1029 |
|
| Имя макрообъекта | Эминов_изучение |
| Тип документа | b |
