| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Изучение примесной фотопроводимости в p-InSb с использованием эпитаксиальных p{+}-контактов Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В эпитаксиальных p{+}-слоях InSb (концентрация дырок p ~ 1 · 10{17}-1.2 · 10{19} см{-3}), выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из p-InSb, в спектральном диапазоне 5-12 мкм при 90K проведены измерения коэффициента оптического поглощения альфа и примесной фотопроводимости (60 и 90K) в структурах p{+}-p-типа. Установлено, что в p{+}-слоях альфа достигает значения 7000 см{-1} при p ~ 2 · 10{19} см{-1}. Объяснение различия состоит в том, что оптические переходы дырок, ответственные за фотопроводимость, маскируются переходами электронов в зону проводимости. Сечение фотоионизации для этих переходов не превышает 1 · 10{15} см{2}. |
| Ключевые слова | фотопроводимость |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1025-1029 |
|
| Имя макрообъекта | Эминов_изучение |
