| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671896610 |
| Дата корректировки | 14:05:13 16 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Солован, М. Н. | |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-ТiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] Электронный ресурс |
|
| Electric and photoelectric properties of n-TiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] heterostructure | |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Гетероструктуры n-ТiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] получены путем напыления тонкой пленки нитрида титана (TiN) n-типа проводимости на подготовленные пластины Hg[3]In[2]Te[6] p-типа проводимости с помощью реактивного магнетронного распыления. Исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства, а также проанализированы доминирующие механизмы токопереноса при прямом смещении в рамках туннельно-рекомбинационной и туннельной моделей. Полученные структуры n-ТiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] имеют следующие фотоэлектрические параметры при интенсивности освещения 80мВт/см{2}: напряжение холостого хода V[OC] = 0.52 В, ток короткого замыкания I[SC] = 0.265 мА/см{2} и коэффициент заполнения FF = 0.39. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
полупроводниковые приборы нитрид титана монокристаллические пластины тонкие пленки |
|
|
Мостовой, А. И. Брус, В. В. Майструк, Э. В. Марьянчук, П. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1041-1046 |
|
| Имя макрообъекта | Солован_электрические |
| Тип документа | b |
