| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-ТiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Гетероструктуры n-ТiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] получены путем напыления тонкой пленки нитрида титана (TiN) n-типа проводимости на подготовленные пластины Hg[3]In[2]Te[6] p-типа проводимости с помощью реактивного магнетронного распыления. Исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства, а также проанализированы доминирующие механизмы токопереноса при прямом смещении в рамках туннельно-рекомбинационной и туннельной моделей. Полученные структуры n-ТiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] имеют следующие фотоэлектрические параметры при интенсивности освещения 80мВт/см{2}: напряжение холостого хода V[OC] = 0.52 В, ток короткого замыкания I[SC] = 0.265 мА/см{2} и коэффициент заполнения FF = 0.39. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1041-1046 |
|
| Имя макрообъекта | Солован_электрические |
