Поиск

Создание и исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок

Авторы: Афанасьев, М. С. Киселев, Д. А. Левашов, С. А. Сивов, А. А. Чучева, Г. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/671644750
Дата корректировки 16:31:41 13 апреля 2021 г.
10.21883/FTT.2020.03.49008.611
Служба первич. каталог. Войтик
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.21
Афанасьев, М. С.
Создание и исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 11 назв.
Аннотация В работе исследуется влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba[0.8]Sr[0.2]TiO[3] при формировании на кремниевые подложки p-типа с ориентацией [100]. Экспериментально установлено, что увеличение температуры синтеза приводит к улучшению диэлектрических и пьезоэлектрических свойств сегнетоэлектрических пленок. Показана температурная стабильность и устойчивость в поведении вольтфарадных характеристик МДП-структур от числа циклов переключения.
Ключевые слова структуры металл-диэлектрик-полупроводник
сегнетоэлектрические пленки
тонкие пленки
титанат бария-стронция
микроструктура пленок
электрофизические свойства пленок
Другие авторы Киселев, Д. А.
Левашов, С. А.
Сивов, А. А.
Чучева, Г. В.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 62, вып. 3. - С. 422-426
Имя макрообъекта Афанасьев_создание
Тип документа b