Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/671619897 |
Дата корректировки | 11:30:01 13 апреля 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Автор | Абрамов, А. С. |
Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе a-Si : H/µc-Si : H Электронный ресурс |
|
Study of photoinduced degradation of tandem photoconverters on the base of a-Si : H/µc-Si : H | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
Аннотация | В рамках работы исследована фотоиндуцированная деградация фотопреобразователей на основе тандемной структуры a-Si : H/µc-Si : H при стандартной освещенности 1000Вт/м{2}. В ходе испытаний были измерены спектральные и вольт-амперные характеристики специально изготовленных образцов с различной степенью кристалличности собственного слоя нижнего (микрокристаллического) каскада. |
Служебное примечание | Семёнов, А. В. |
Ключевые слова | фотоиндуцированная деградация |
фотопреобразователи гидрогенизированный кремний кремний эффект Стаблера-Вронского фотопроводимость пленок |
|
Другие авторы | Андроников, Д. А. |
Емцев, К. В. Кукин, А. В. Семенов, А. В. Терукова, Е. Е. Титов, А. С. Яковлев, С. А. |
|
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 50, вып. 8. - С. 1095-1099 |
Имя макрообъекта | Абрамов_исследование |
Тип документа | b |