Поиск

Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе a-Si : H/µc-Si : H

Авторы: Абрамов, А. С. Семёнов, А. В. Андроников, Д. А. Емцев, К. В. Кукин, А. В. Семенов, А. В. Терукова, Е. Е. Титов, А. С. Яковлев, С. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Автор Абрамов, А. С.
Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе a-Si : H/µc-Si : H
Электронный ресурс
Аннотация В рамках работы исследована фотоиндуцированная деградация фотопреобразователей на основе тандемной структуры a-Si : H/µc-Si : H при стандартной освещенности 1000Вт/м{2}. В ходе испытаний были измерены спектральные и вольт-амперные характеристики специально изготовленных образцов с различной степенью кристалличности собственного слоя нижнего (микрокристаллического) каскада.
Ключевые слова фотоиндуцированная деградация
Другие авторы Андроников, Д. А.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 8. - С. 1095-1099
Имя макрообъекта Абрамов_исследование