Поиск

Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge-Sb-Te

Авторы: Фефелов, С. А. Казакова, Л. П. Арсова, Д. Козюхин, C. А. Цэндин, К. Д. Приходько, О. Ю.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/671561484
Дата корректировки 11:31:28 13 апреля 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Фефелов, С. А.
Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge-Sb-Te
Электронный ресурс
The voltage oscillations with switching effect in thin Ge-Sb-Te films in the constant current regime mode
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 10 назв.
Аннотация Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te в режиме генератора тока. Обнаружена область неустойчивости - колебания проводимости, наблюдаемые при эффекте переключения в условиях задаваемого по величине тока. Детально изучены основные параметры, характеризующие эти колебания, и условия их возникновения. Анализ полученных данных показал, что для объяснения колебаний в области неустойчивости необходимо учитывать увеличение плотности тока и процесс теплообмена между шнуром тока, возникающим в пленке при переключении, и окружающей средой.
Ключевые слова халькогенидные стеклообразные полупроводники
халькогениды системы Ge-Sb-Te
полупроводники
колебания проводимости
германий
сурьма
теллур
наноразмерные пленки
Казакова, Л. П.
Арсова, Д.
Козюхин, C. А.
Цэндин, К. Д.
Приходько, О. Ю.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 7. - С. 958-962
Имя макрообъекта Фефелов_осцилляции
Тип документа b