| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge-Sb-Te Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te в режиме генератора тока. Обнаружена область неустойчивости - колебания проводимости, наблюдаемые при эффекте переключения в условиях задаваемого по величине тока. Детально изучены основные параметры, характеризующие эти колебания, и условия их возникновения. Анализ полученных данных показал, что для объяснения колебаний в области неустойчивости необходимо учитывать увеличение плотности тока и процесс теплообмена между шнуром тока, возникающим в пленке при переключении, и окружающей средой. |
| Ключевые слова | халькогенидные стеклообразные полупроводники |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 7. - С. 958-962 |
| Имя макрообъекта | Фефелов_осцилляции |
